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產(chǎn)品名稱：6英寸單拋硅片

生長方式：直拉單晶

直徑與工差：±0.4mm

摻雜類型：N型（摻磷，砷，銻） P型（摻硼）

晶向：<111>/<100>

電阻率： 0.001-50(Ω?cm) 可按客戶要求定制

工藝數(shù)據(jù)：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)

用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試 基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體半導(dǎo)體。